产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(2)
TO-220-3(2)
TO-247-3(13)
TO-3P-3，SC-65-3(3)
TO-264-3，TO-264AA(3)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(7)
SOT-227-4，miniBLOC(5)
ISOTOP(2)
TO-220-3（SMT）标片(6)
PLUS-220SMD(6)
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STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Vishay Siliconix(4)
Microsemi Corporation(5)
IXYS(35)
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表面贴装(15)
通孔(27)
底座安装(7)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(47)
150°C（TJ）(2)
重新选择
-(8)
QFET?(2)
PolarP??(4)
HiPerFET??(3)
POWER MOS 7?(4)
HiPerFET?，PolarHT?(8)
PolarHV??(16)
FRFET??(1)
POWER MOS 8??(1)
PowerMESH? II(2)
重新选择
散装 (1)
管件 (48)
重新选择
在售(34)
过期(15)
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TO-220AB(1)
TO-247-3(4)
TO-263（IXTA）(1)
TO-264(3)
TO-3P(3)
TO-247（IXTH）(5)
TO-247AD（IXFH）(4)
TO-268(7)
ISOTOP?(6)
SOT-227(1)
TO-263（IXFA）(1)
TO-220AB（IXFP）(1)
PLUS220(6)
PLUS-220SMD(6)
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MOSFET（金属氧化物）(49)
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±30V(45)
±20V(4)
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210nC @ 10V(3)
30nC @ 10V(3)
200nC @ 10V(2)
72nC @ 10V(9)
65nC @ 10V(2)
260nC @ 10V(1)
130nC @ 10V(1)
160nC @ 10V(1)
70nC @ 10V(9)
92nC @ 10V(6)
103nC @ 10V(2)
430nC @ 10V(1)
190nC @ 10V(2)
434nC @ 10V(1)
71nC @ 10V(4)
290nC @ 10V(1)
154nC @ 10V(1)
重新选择
720 毫欧 @ 500mA，10V(2)
450 毫欧 @ 10A，10V(2)
230 毫欧 @ 13A，10V(2)
80 毫欧 @ 27A，10V(1)
550 毫欧 @ 500mA，10V(3)
180 毫欧 @ 19A，10V(2)
160 毫欧 @ 32A，10V(2)
130 毫欧 @ 20A，10V(1)
110 毫欧 @ 20A，10V(2)
39 毫欧 @ 500mA，10V(4)
200 毫欧 @ 15A，10V(9)
600 毫欧 @ 500mA，10V(4)
440 毫欧 @ 16A，10V(1)
270 毫欧 @ 500mA，10V(9)
450 毫欧 @ 11.5A，10V(1)
570 毫欧 @ 10A，10V(1)
130 毫欧 @ 19.5A，10V(1)
75 毫欧 @ 25A，10V(1)
240 毫欧 @ 14.5A，10V(1)
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10V(49)
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N 沟道(45)
P 沟道(4)
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16A（Tc）(6)
20A（Tc）(3)
21A（Tc）(1)
40A（Tc）(3)
17A（Tc）(1)
26A（Tc）(11)
76A（Tc）(4)
50A（Tc）(1)
30A（Tc）(9)
29A（Tc）(1)
32A（Tc）(2)
39A（Tc）(1)
31A（Tc）(2)
14A（Tc）(3)
53A（Tc）(1)
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3600pF @ 25V(2)
11200pF @ 25V(1)
5120pF @ 25V(4)
4500pF @ 25V(4)
5000pF @ 25V(2)
4600pF @ 25V(4)
4670pF @ 25V(1)
7500pF @ 25V(3)
6200pF @ 25V(1)
5280pF @ 25V(2)
4350pF @ 25V(1)
11100pF @ 25V(1)
4150pF @ 25V(18)
8500pF @ 25V(1)
1043pF @ 25V(3)
5630pF @ 25V(1)
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-(49)
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4V @ 250μA(4)
5V @ 250μA(17)
4.5V @ 250μA(2)
5V @ 1mA(4)
5V @ 4mA(12)
5V @ 2.5mA(5)
5.5V @ 250μA(2)
5.5V @ 1mA(3)
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460W（Tc）(49)
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250V(4)
600V(13)
400V(1)
800V(5)
1000V(2)
500V(20)
1200V(1)
850V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16P60P
仓库库存编号：
IXTH16P60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT16P60P
仓库库存编号：
IXTT16P60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT20P50P
仓库库存编号：
IXTT20P50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20P50P
仓库库存编号：
IXTH20P50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE53NC50
仓库库存编号：
497-2776-5-ND
别名：497-2776-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP31N50LPBF
仓库库存编号：
IRFP31N50LPBF-ND
别名：*IRFP31N50LPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP32N50KPBF
仓库库存编号：
IRFP32N50KPBF-ND
别名：*IRFP32N50KPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE40NC60
仓库库存编号：
497-3169-5-ND
别名：497-3169-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
型号：
FQL40N50
仓库库存编号：
FQL40N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
型号：
FQL40N50F
仓库库存编号：
FQL40N50F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60P
仓库库存编号：
IXFH26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP14N85X
仓库库存编号：
IXFP14N85X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N85XHV
仓库库存编号：
IXFA14N85XHV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N85X
仓库库存编号：
IXFH14N85X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10045JLL
仓库库存编号：
APT10045JLL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT19F100J
仓库库存编号：
APT19F100J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP76N25T
仓库库存编号：
IXTP76N25T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA76N25T
仓库库存编号：
IXTA76N25T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ76N25T
仓库库存编号：
IXTQ76N25T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH76N25T
仓库库存编号：
IXTH76N25T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50P
仓库库存编号：
IXTH30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
仓库库存编号：
IXTH26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N80P
仓库库存编号：
IXFH16N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N50P
仓库库存编号：
IXTQ30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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