产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商
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系列
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
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Fairchild/ON Semiconductor(1)
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TO-247(1)
TO-3P(2)
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PLUS220(1)
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MOSFET(金属氧化物)(6)
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±30V(5)
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114nC @ 10V(3)
113nC @ 10V(2)
108nC @ 10V(1)
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120 毫欧 @ 22A,10V(1)
12 毫欧 @ 65A,10V(2)
23 毫欧 @ 500mA,10V(3)
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10V(5)
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N 沟道(6)
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130A(Tc)(2)
44A(Tc)(1)
102A(Tc)(3)
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5335pF @ 25V(1)
6800pF @ 25V(3)
9800pF @ 25V(2)
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-(6)
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4V @ 250μA(1)
4.5V @ 1mA(5)
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750W(Tc)(6)
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150V(2)
200V(3)
500V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 750W(Tc) TO-247
型号:
FDH44N50
仓库库存编号:
FDH44N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 750W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N20T
仓库库存编号:
IXTQ102N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 750W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ130N15T
仓库库存编号:
IXTQ130N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 750W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH102N20T
仓库库存编号:
IXTH102N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 750W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH130N15T
仓库库存编号:
IXTH130N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 102A(Tc) 750W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV102N20T
仓库库存编号:
IXTV102N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 750W(Tc),
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邮箱:
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