产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3206PS
仓库库存编号:
TPH3206PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LD
仓库库存编号:
TPH3208LD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9614-60E,118
仓库库存编号:
1727-7259-1-ND
别名:1727-7259-1
568-9888-1
568-9888-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3208PS
仓库库存编号:
TPH3208PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LD
仓库库存编号:
TPH3206LD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LS
仓库库存编号:
TPH3206LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3206PD
仓库库存编号:
TPH3206PD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LS
仓库库存编号:
TPH3208LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 96W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N4F6AG
仓库库存编号:
497-15475-1-ND
别名:497-15475-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R299CPXKSA1-ND
别名:IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Tc) 96W(Tc) D-Pak
型号:
STD5NM60T4
仓库库存编号:
497-3163-1-ND
别名:497-3163-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E8R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7248-ND
别名:1727-7248
568-9857-5
568-9857-5-ND
934066418127
BUK7E8R340E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Tc) 96W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R299CP
仓库库存编号:
IPL60R299CPCT-ND
别名:IPL60R299CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R299CP
仓库库存编号:
IPW60R299CP-ND
别名:IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LDG
仓库库存编号:
TPH3208LDG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 96W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N4LF6AG
仓库库存编号:
497-16511-1-ND
别名:497-16511-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 217A(Tc) 96W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7480MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7480MTRPBFCT-ND
别名:IRF7480MTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 96W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF60DM206
仓库库存编号:
IRF60DM206CT-ND
别名:IRF60DM206CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 96W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7780MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7780MTRPBFCT-ND
别名:IRF7780MTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220-3
型号:
NTP8G206NG
仓库库存编号:
NTP8G206NGOS-ND
别名:NTP8G206NGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 124A(Tc) 96W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18513Q5AT
仓库库存编号:
296-45231-1-ND
别名:296-45231-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号:
1727-7240-ND
别名:1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tc) 96W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N80ZT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ7N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ7N65E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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