产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
型号：
TPH3206PS
仓库库存编号：
TPH3206PS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3208LD
仓库库存编号：
TPH3208LD-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9614-60E,118
仓库库存编号：
1727-7259-1-ND
别名：1727-7259-1
568-9888-1
568-9888-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） TO-220
型号：
TPH3208PS
仓库库存编号：
TPH3208PS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3206LD
仓库库存编号：
TPH3206LD-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3206LS
仓库库存编号：
TPH3206LS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
型号：
TPH3206PD
仓库库存编号：
TPH3206PD-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3208LS
仓库库存编号：
TPH3208LS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 96W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL120N4F6AG
仓库库存编号：
497-15475-1-ND
别名：497-15475-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R299CPXKSA1-ND
别名：IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 96W（Tc） D-Pak
型号：
STD5NM60T4
仓库库存编号：
497-3163-1-ND
别名：497-3163-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E8R3-40E,127
仓库库存编号：
1727-7248-ND
别名：1727-7248
568-9857-5
568-9857-5-ND
934066418127
BUK7E8R340E127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R299CP
仓库库存编号：
IPL60R299CPCT-ND
别名：IPL60R299CPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R299CP
仓库库存编号：
IPW60R299CP-ND
别名：IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3208LDG
仓库库存编号：
TPH3208LDG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 96W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL120N4LF6AG
仓库库存编号：
497-16511-1-ND
别名：497-16511-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 217A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF7480MTRPBF
仓库库存编号：
IRF7480MTRPBFCT-ND
别名：IRF7480MTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF60DM206
仓库库存编号：
IRF60DM206CT-ND
别名：IRF60DM206CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A
详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF7780MTRPBF
仓库库存编号：
IRF7780MTRPBFCT-ND
别名：IRF7780MTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220-3
型号：
NTP8G206NG
仓库库存编号：
NTP8G206NGOS-ND
别名：NTP8G206NGOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18513Q5AT
仓库库存编号：
296-45231-1-ND
别名：296-45231-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号：
1727-7240-ND
别名：1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） DPAK
型号：
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号：
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名：NDD03N80ZT4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIHJ7N65E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHJ7N65E-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 96W（Tc）,
无铅
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