产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (16)
Nexperia USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
STMicroelectronics (15)
Taiwan Semiconductor Corporation (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB37N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16105-1-ND
别名:497-16105-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW45N65M5
仓库库存编号:
497-12938-5-ND
别名:497-12938-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 45.6A(Tc) 210W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP46N15
仓库库存编号:
FQP46N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP35N60DM2
仓库库存编号:
497-16359-5-ND
别名:497-16359-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW37N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16103-5-ND
别名:497-16103-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW35N60DM2
仓库库存编号:
497-16356-5-ND
别名:497-16356-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 100A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN6R5-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7213-1-ND
别名:1727-7213-1
568-9704-1
568-9704-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN6R5-80PS,127
仓库库存编号:
1727-5896-ND
别名:1727-5896
568-7515-5
568-7515-5-ND
934064003127
PSMN6R5-80PS,127-ND
PSMN6R580PS127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STWA45N65M5
仓库库存编号:
497-13596-5-ND
别名:497-13596-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB35N60DM2
仓库库存编号:
497-16357-1-ND
别名:497-16357-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB36NM60N
仓库库存编号:
497-12972-1-ND
别名:497-12972-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 210W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA27N25
仓库库存编号:
FQA27N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 210W(Tc) TO-262-3
型号:
AUIRFSL6535
仓库库存编号:
AUIRFSL6535-ND
别名:SP001522854
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF03LT4
仓库库存编号:
497-3252-1-ND
别名:497-3252-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
IPP80N06S2L-07-ND
别名:IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名:IPB80N06S2L07ATMA3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB45N65M5
仓库库存编号:
497-12940-1-ND
别名:497-12940-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP45N65M5
仓库库存编号:
497-12937-5-ND
别名:497-12937-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 81A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
TSM85N10CZ C0G
仓库库存编号:
TSM85N10CZ C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCT
仓库库存编号:
DMNH6008SCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号:
DMNH6008SCTQDI-ND
别名:DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535
仓库库存编号:
AUIRFS6535-ND
别名:SP001516136
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535TRL
仓库库存编号:
AUIRFS6535TRLTR-ND
别名:AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LT4
仓库库存编号:
497-3251-1-ND
别名:497-3251-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号