产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
IXYS (43)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK40P50P
仓库库存编号:
IXTK40P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK170P10P
仓库库存编号:
IXTK170P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK90P20P
仓库库存编号:
IXTK90P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN170P10P
仓库库存编号:
IXTN170P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH80N65X2
仓库库存编号:
IXFH80N65X2-ND
别名:632463
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX40P50P
仓库库存编号:
IXTX40P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX90P20P
仓库库存编号:
IXTX90P20P-ND
别名:620108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN40P50P
仓库库存编号:
IXTN40P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN70N60Q2
仓库库存编号:
IXFN70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 890W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH64N65X
仓库库存编号:
IXTH64N65X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N85X
仓库库存编号:
IXFH50N85X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N85XHV
仓库库存编号:
IXFT50N85XHV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N65X2
仓库库存编号:
IXTH80N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 108A(Tc) 890W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN120N65X2
仓库库存编号:
IXFN120N65X2-ND
别名:632519
IXFN120N65X2X
IXFN120N65X2X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150HV
仓库库存编号:
IXTT12N150HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX32P60P
仓库库存编号:
IXTX32P60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB70N60Q2
仓库库存编号:
IXFB70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-264
型号:
IXFK50N85X
仓库库存编号:
IXFK50N85X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-264
型号:
IXFK80N65X2
仓库库存编号:
IXFK80N65X2-ND
别名:IXFK80N65X2X
IXFK80N65X2X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N25T
仓库库存编号:
IXFH120N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 94A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH94N30T
仓库库存编号:
IXFH94N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N150
仓库库存编号:
IXTH12N150-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150
仓库库存编号:
IXTT12N150-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH60N60X
仓库库存编号:
IXFH60N60X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N60X
仓库库存编号:
IXFQ60N60X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 890W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号