产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
IXYS (38)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 75V 500A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500A(Tc) 830W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F520N075T2
仓库库存编号:
MMIX1F520N075T2-ND
别名:625162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 360A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN360N10T
仓库库存编号:
IXFN360N10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 178A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10L2
仓库库存编号:
IXTN200N10L2-ND
别名:624413
Q5211084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N100Q3
仓库库存编号:
IXFH18N100Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK140N20P
仓库库存编号:
IXFK140N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N50P2
仓库库存编号:
IXFH42N50P2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N60P3
仓库库存编号:
IXFH42N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT42N50P2
仓库库存编号:
IXFT42N50P2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N50P
仓库库存编号:
IXFK64N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:底座安装 N 沟道 65A(Tc) 830W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN66N85X
仓库库存编号:
IXFN66N85X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH130N20T
仓库库存编号:
IXTH130N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ470P2
仓库库存编号:
IXTQ470P2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH160N15T
仓库库存编号:
IXTH160N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH16N10D2
仓库库存编号:
IXTH16N10D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK200N10P
仓库库存编号:
IXFK200N10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16N10D2
仓库库存编号:
IXTT16N10D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 180A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N15P
仓库库存编号:
IXFX180N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N80P
仓库库存编号:
IXFX32N80P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N80P
仓库库存编号:
IXFK32N80P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX200N10P
仓库库存编号:
IXFX200N10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 180A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N15P
仓库库存编号:
IXFK180N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N60P
仓库库存编号:
IXFK48N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 70A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH70N30Q3
仓库库存编号:
IXFH70N30Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 830W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号