产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS (11)
Microsemi Corporation (5)
Vishay Semiconductor Diodes Division (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tj) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N170D2
仓库库存编号:
IXTT2N170D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 190A 568W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB190SA10
仓库库存编号:
VS-FB190SA10-ND
别名:FB190SA10
FB190SA10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 52A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL502J
仓库库存编号:
APL502J-ND
别名:APL502JMI
APL502JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 77A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT77N60JC3
仓库库存编号:
APT77N60JC3-ND
别名:APT77N60JC3MI
APT77N60JC3MI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 568W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60Q3
仓库库存编号:
IXFR64N60Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 568W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N100
仓库库存编号:
IXFN24N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P10T
仓库库存编号:
IXTH140P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 200V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH68P20T
仓库库存编号:
IXTH68P20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1700V 2A(Tj) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH2N170D2
仓库库存编号:
IXTH2N170D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT140P10T
仓库库存编号:
IXTT140P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT68P20T
仓库库存编号:
IXTT68P20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 568W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N07
仓库库存编号:
IXFX180N07-ND
别名:Q1150608
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 568W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N07
仓库库存编号:
IXFK180N07-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 568W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX24N100
仓库库存编号:
IXTX24N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 45A(Tc) 568W(Tc) SP1
型号:
APTML60U12R020T1AG
仓库库存编号:
APTML60U12R020T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 52A(Tc) 568W(Tc) SP1
型号:
APTML50UM90R020T1AG
仓库库存编号:
APTML50UM90R020T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 55A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M80JVR
仓库库存编号:
APT60M80JVR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 568W(Tc),
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