产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (10)
Nexperia USA Inc. (1)
ON Semiconductor (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2400UFB4-7
仓库库存编号:
DMN2400UFB4-7DICT-ND
别名:DMN2400UFB4-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN3730UFB4-7
仓库库存编号:
DMN3730UFB4-7CT-ND
别名:DMN3730UFB4-7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN2400UFB-7
仓库库存编号:
DMN2400UFB-7DICT-ND
别名:DMN2400UFB-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.21A(Ta) 470mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMN2300UFD-7
仓库库存编号:
DMN2300UFD-7DICT-ND
别名:DMN2300UFD-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN
型号:
DMN3730UFB-7
仓库库存编号:
DMN3730UFB-7CT-ND
别名:DMN3730UFB-7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT1220
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A (Ta) 470mW(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB12UNEX
仓库库存编号:
1727-2703-1-ND
别名:1727-2703-1
568-13222-1
568-13222-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 180mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP58D0LFB-7
仓库库存编号:
DMP58D0LFB-7DICT-ND
别名:DMP58D0LFB-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 410mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN62D1SFB-7B
仓库库存编号:
DMN62D1SFB-7BDI-ND
别名:DMN62D1SFB-7BDI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 470mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3C21NZT3G
仓库库存编号:
NTR3C21NZT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN62D0LFB-7
仓库库存编号:
DMN62D0LFB-7DI-ND
别名:DMN62D0LFB-7DI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 470mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3C21NZT1G
仓库库存编号:
NTR3C21NZT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 470mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVR5124PLT1G
仓库库存编号:
NVR5124PLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN62D0LFB-7B
仓库库存编号:
DMN62D0LFB-7BDICT-ND
别名:DMN62D0LFB-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 180mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMP58D0LFB-7B
仓库库存编号:
DMP58D0LFB-7BDICT-ND
别名:DMP58D0LFB-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 470mW(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号