产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc. (20)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ600UNEYL
仓库库存编号：
1727-2323-1-ND
别名：1727-2323-1
568-12609-1
568-12609-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
BSS84AKMB,315
仓库库存编号：
1727-1264-1-ND
别名：1727-1264-1
568-10472-1
568-10472-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ290UNEYL
仓库库存编号：
1727-2318-1-ND
别名：1727-2318-1
568-12604-1
568-12604-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-2-ND
别名：1727-2324-2
568-12610-2
568-12610-2-ND
934068445315
PMZ950UPEYL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-1-ND
别名：1727-2324-1
568-12610-1
568-12610-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-6-ND
别名：1727-2324-6
568-12610-6
568-12610-6-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2333-1-ND
别名：1727-2333-1
568-12619-1
568-12619-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB600UNEYL
仓库库存编号：
1727-2332-1-ND
别名：1727-2332-1
568-12618-1
568-12618-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ370UNEYL
仓库库存编号：
1727-2321-1-ND
别名：1727-2321-1
568-12607-1
568-12607-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB290UNE,315
仓库库存编号：
1727-1378-1-ND
别名：1727-1378-1
568-10840-1
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 530mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号：
1727-1234-1-ND
别名：1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB290UN,315
仓库库存编号：
1727-1242-1-ND
别名：1727-1242-1
568-10448-1
568-10448-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB670UPE,315
仓库库存编号：
1727-1380-1-ND
别名：1727-1380-1
568-10845-1
568-10845-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPELYL
仓库库存编号：
1727-2599-1-ND
别名：1727-2599-1
568-13058-1
568-13058-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB370UNE,315
仓库库存编号：
1727-1379-1-ND
别名：1727-1379-1
568-10842-1
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 300mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX3008PBKMB,315
仓库库存编号：
1727-1235-1-ND
别名：1727-1235-1
568-10440-1
568-10440-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB300XN,315
仓库库存编号：
568-10841-1-ND
别名：568-10841-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 930mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB380XN,315
仓库库存编号：
568-10843-1-ND
别名：568-10843-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB420UN,315
仓库库存编号：
568-10844-1-ND
别名：568-10844-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 650mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB790SN,315
仓库库存编号：
568-10846-1-ND
别名：568-10846-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）,
无铅
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