产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 270mA(Ta) 380mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP10H4D2S-7
仓库库存编号:
DMP10H4D2S-7DICT-ND
别名:DMP10H4D2S-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 760mA(Ta) 380mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN21D2UFB-7B
仓库库存编号:
DMN21D2UFB-7BDICT-ND
别名:DMN21D2UFB-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 380mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN62D0U-13
仓库库存编号:
DMN62D0U-13DICT-ND
别名:DMN62D0U-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 380mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN62D0U-7
仓库库存编号:
DMN62D0U-7DICT-ND
别名:DMN62D0U-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.3A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV28UN,215
仓库库存编号:
568-10832-1-ND
别名:568-10832-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30XN,215
仓库库存编号:
568-10833-1-ND
别名:568-10833-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.1A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV37EN,215
仓库库存编号:
568-10835-1-ND
别名:568-10835-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 380mW(Ta),
无铅
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