产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 840mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG2301LK-7
仓库库存编号:
DMG2301LK-7DICT-ND
别名:DMG2301LK-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 840mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4177PR2G
仓库库存编号:
NTMS4177PR2GCT-ND
别名:NTMS4177PR2GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTWG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTWGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8103-H(TE85LFM
仓库库存编号:
TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
别名:TPCP8103-H(TE85LFMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTAG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 20V 2.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta) 840mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG2301LK-13
仓库库存编号:
DMG2301LK-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.2A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8003-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8003-H(TE85L,F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8005-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8005-HTE85LFCT-ND
别名:TPCP8005-HTE85LFCT
TPCP8005HTE85LF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8004(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPCP8004(TE85LF)CT-ND
别名:TPCP8004(TE85LF)CT
TPCP8004TE85LF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 840mW(Ta),
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