产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS84
仓库库存编号：
BSS84CT-ND
别名：BSS84CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS123
仓库库存编号：
BSS123NCT-ND
别名：BSS123NCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23
型号：
NDS0610
仓库库存编号：
NDS0610CT-ND
别名：NDS0610CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TN2404K-T1-E3
仓库库存编号：
TN2404K-T1-E3CT-ND
别名：TN2404K-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS123L
仓库库存编号：
BSS123LCT-ND
别名：BSS123LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 110mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS131H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS131H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS131 H6327CT
BSS131 H6327CT-ND
BSS131H6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 180mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23
型号：
NDS0605
仓库库存编号：
NDS0605CT-ND
别名：NDS0605CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS83PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS123TA
仓库库存编号：
BSS123CT-ND
别名：BSS123CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS139H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6906XTSA1
仓库库存编号：
BSS159NH6906XTSA1CT-ND
别名：BSS159N H6906CT
BSS159N H6906CT-ND
BSS159NH6906XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 330mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-5
型号：
LND01K1-G
仓库库存编号：
LND01K1-GCT-ND
别名：LND01K1-GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 72mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
DN3135K1-G
仓库库存编号：
DN3135K1-GCT-ND
别名：DN3135K1-GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS84PH6433XTMA1CT-ND
别名：BSS84PH6433XTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA2CT-ND
别名：BSS84PH6327XTSA2CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002NH6327XTSA2
仓库库存编号：
SN7002NH6327XTSA2CT-ND
别名：SN7002NH6327XTSA2CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NH6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS138NH6327XTSA2CT-ND
别名：BSS138NH6327XTSA2CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS670S2LH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS670S2LH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS670S2L H6327CT
BSS670S2L H6327CT-ND
BSS670S2LH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS169H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS169 H6327CT
BSS169 H6327CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA2CT-ND
别名：BSS159NH6327XTSA2CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
型号：
DMP21D2UFA-7B
仓库库存编号：
DMP21D2UFA-7BDICT-ND
别名：DMP21D2UFA-7BDICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS7728N H6327CT
BSS7728N H6327CT-ND
BSS7728NH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 200mA（Ta） 360mW（Ta）
型号：
TN2404K-T1-GE3
仓库库存编号：
TN2404K-T1-GE3CT-ND
别名：TN2404K-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 13mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
LND150K1-G
仓库库存编号：
LND150K1-GCT-ND
别名：LND150K1-GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
型号：
DMN1260UFA-7B
仓库库存编号：
DMN1260UFA-7BDICT-ND
别名：DMN1260UFA-7BDICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 360mW（Ta）,
无铅
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