产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13381F4
仓库库存编号:
296-38912-2-ND
别名:296-38912-2
CSD13381F4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2300UFB4-7B
仓库库存编号:
DMN2300UFB4-7BDICT-ND
别名:DMN2300UFB4-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1411(1.4x1.1)
型号:
DMP2104LP-7
仓库库存编号:
DMP2104LPDICT-ND
别名:DMP2104LPDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN352AP
仓库库存编号:
FDN352APCT-ND
别名:FDN352APCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS355AN
仓库库存编号:
NDS355ANCT-ND
别名:NDS355ANCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN340P
仓库库存编号:
FDN340PCT-ND
别名:FDN340P_F095CT
FDN340P_F095CT-ND
FDN340PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K123TULFCT-ND
别名:SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN357N
仓库库存编号:
FDN357NCT-ND
别名:FDN357NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN302P
仓库库存编号:
FDN302PCT-ND
别名:FDN302PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8800EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8800EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8800EDB-T2-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN339AN
仓库库存编号:
FDN339ANCT-ND
别名:FDN339ANCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.25A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN5618P
仓库库存编号:
FDN5618PCT-ND
别名:FDN5618PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 500mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MTM231232LBF
仓库库存编号:
MTM231232LBFCT-ND
别名:MTM231232LBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN304PZ
仓库库存编号:
FDN304PZCT-ND
别名:FDN304PZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
2SK3065T100
仓库库存编号:
2SK3065T100CT-ND
别名:2SK3065T100CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
RJP020N06T100
仓库库存编号:
RJP020N06T100CT-ND
别名:RJP020N06T100CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Ta) 500mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS107P
仓库库存编号:
BS107P-ND
别名:BS107
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
型号:
SSM3K35CTC,L3F
仓库库存编号:
SSM3K35CTCL3FCT-ND
别名:SSM3K35CTCL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V LGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD25483F4
仓库库存编号:
296-38917-2-ND
别名:296-38917-2
CSD25483F4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD15380F3
仓库库存编号:
296-44373-1-ND
别名:296-44373-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.41A(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN1150UFB-7B
仓库库存编号:
DMN1150UFB-7BDICT-ND
别名:DMN1150UFB-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMN62D1LFD-7
仓库库存编号:
DMN62D1LFD-7DICT-ND
别名:DMN62D1LFD-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS308PE H6327CT
BSS308PE H6327CT-ND
BSS308PEH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMP3030SN-7
仓库库存编号:
DMP3030SNDICT-ND
别名:DMP3030SNDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8824EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8824EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8824EDB-T2-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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