产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (5)
Nexperia USA Inc. (2)
Vishay Siliconix (18)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.9A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PMK50XP,518
仓库库存编号:
1727-7205-1-ND
别名:1727-7205-1
568-9696-1
568-9696-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.4A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4403CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403CDY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R3K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R3K4CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.4A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3425EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3425EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3425EV-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16V 4.66A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PHK04P02T,518
仓库库存编号:
1727-2156-1-ND
别名:1727-2156-1
568-11953-1
568-11953-1-ND
568-12317-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3426EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3426EV-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI9407BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9407BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9407BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R2K1CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPN70R1K5CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (G-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 5W(Tc) 8-SOIC
型号:
SI4403DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403DDY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4774DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4774DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4774DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4410EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4410EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4410EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3469EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3469EV-T1_GE3-ND
别名:SQ3469EV-T1-GE3
SQ3469EV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3457EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3457EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3410EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3410EV-T1_GE3-ND
别名:SQ3410EV-T1-GE3
SQ3410EV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.9A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3419AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3419AEEV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3461EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3461EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R2K1CEATMA1-ND
别名:SP001664860
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 7.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001646912
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3427EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3427EEV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 7.4A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3419EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3419EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3419EEV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3418EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3418EEV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3426EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3426EEV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 5W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号