产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR418DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF28N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHF28N60EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF35N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF35N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA24N65EF-E3
仓库库存编号:
SIHA24N65EF-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 56.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 56.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SUA70060E-E3
仓库库存编号:
SUA70060E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF18N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF18N50D-E3-ND
别名:SIHF18N50DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 46A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463ADP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA25N60EFL-E3
仓库库存编号:
SIHA25N60EFL-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405EN-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405ENW-T1_GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16.8A(Ta) 39W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N03-12P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-12P-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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