产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta) SOT-323
型号:
DMG1012UW-7
仓库库存编号:
DMG1012UW-7DICT-ND
别名:DMG1012UW-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS2101PT1G
仓库库存编号:
NTS2101PT1GOSCT-ND
别名:NTS2101PT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4173PT1G
仓库库存编号:
NTS4173PT1GOSCT-ND
别名:NTS4173PT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.4A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS2101PT1
仓库库存编号:
NTS2101PT1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1303DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1303DL-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1303EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDLT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 860mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1305DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1305DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1305DL-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 860mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1305EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1305EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1305EDL-T1-E3CT
SI1305EDLT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 850mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1307EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1307EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1307EDL-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 860mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1305DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1305DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1305DL-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 850mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1307EDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1307EDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1307EDL-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1303DL-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 860mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1305EDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1305EDL-T1-GE3-ND
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无铅
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MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 850mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1307DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1307DL-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290mW(Ta),
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MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 850mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1307DL-T1-E3
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SI1307DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1307DL-T1-E3CT
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