产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17551Q3A
仓库库存编号:
296-35025-1-ND
别名:296-35025-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17552Q3A
仓库库存编号:
296-34990-1-ND
别名:296-34990-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16409Q3
仓库库存编号:
296-24253-1-ND
别名:296-24253-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16.8A(Ta),70A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMTH4007LK3-13
仓库库存编号:
DMTH4007LK3-13DICT-ND
别名:DMTH4007LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMTH8012LK3-13
仓库库存编号:
DMTH8012LK3-13DICT-ND
别名:DMTH8012LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMT6009LK3-13
仓库库存编号:
DMT6009LK3-13DICT-ND
别名:DMT6009LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.8A(Ta),70A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMTH4007LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH4007LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH4007LK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH4011SK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.6W(Ta) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名:IRFHM9391TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH8012LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH8012LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH8012LK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3-13DI-ND
别名:DMNH4011SK3-13DI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH3010LPS-13
仓库库存编号:
DMPH3010LPS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH3010LPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH3010LPSQ-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.6W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH4015SPS-13
仓库库存编号:
DMPH4015SPS-13-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH4015SPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH4015SPSQ-13-ND
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