产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505PBFCT-ND
别名:*IRFR5505TRPBF
IRFR5505PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3105TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3105TRPBFCT-ND
别名:IRLR3105TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ520N15NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N50
仓库库存编号:
785-1175-1-ND
别名:785-1175-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3303PBFCT-ND
别名:*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 57W(Tc) I-Pak
型号:
NDD02N60Z-1G
仓库库存编号:
NDD02N60Z-1GOS-ND
别名:NDD02N60Z-1G-ND
NDD02N60Z-1GOS
NDD02N60Z1G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505PBF
仓库库存编号:
IRFU5505PBF-ND
别名:*IRFU5505PBF
SP001557786
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N50
仓库库存编号:
785-1176-5-ND
别名:785-1176-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 67A(Tc) 57W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN7R0-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7144-1-ND
别名:1727-7144-1
568-9577-1
568-9577-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS10DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.1A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS98DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS98DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS98DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS71DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS71DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS71DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA60DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW38N65M5
仓库库存编号:
497-15006-5-ND
别名:497-15006-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 57W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW45N65M5
仓库库存编号:
497-15539-5-ND
别名:497-15539-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60A
仓库库存编号:
785-1663-1-ND
别名:785-1663-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 57W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL18N65M2
仓库库存编号:
497-15477-1-ND
别名:497-15477-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 57W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL18N65M5
仓库库存编号:
497-13967-1-ND
别名:497-13967-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 57W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL18N60M2
仓库库存编号:
497-15146-1-ND
别名:497-15146-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Rohm Semiconductor
1700V .75 OHM 6A SIC FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.9A(Tc) 57W(Tc) TO-268
型号:
SCT2750NYTB
仓库库存编号:
SCT2750NYTBCT-ND
别名:SCT2750NYTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 57W(Tc) TO-220FP
型号:
CDM2208-800FP SL
仓库库存编号:
CDM2208-800FP SL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名:IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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