产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (8)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3099L-7
仓库库存编号:
DMP3099L-7DICT-ND
别名:DMP3099L-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP3098L-7
仓库库存编号:
DMP3098LDICT-ND
别名:DMP3098LDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP2215L-7
仓库库存编号:
DMP2215LDICT-ND
别名:DMP2215LDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP2225L-7
仓库库存编号:
DMP2225LDICT-ND
别名:DMP2225LDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP3160L-7
仓库库存编号:
DMP3160LDICT-ND
别名:DMP3160LDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3099L-13
仓库库存编号:
DMP3099L-13DITR-ND
别名:DMP3099L-13DITR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP3098LQ-7
仓库库存编号:
DMP3098LQ-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP3100L-7
仓库库存编号:
DMP3100L-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6404DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6404DQ-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6404DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6404DQ-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6473DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6473DQ-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6473DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6473DQ-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.08W(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号