产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor (21)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD17P06TM
仓库库存编号:
FQD17P06TMCT-ND
别名:FQD17P06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTM
仓库库存编号:
FQD2N60CTMCT-ND
别名:FQD2N60CTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU17P06TU
仓库库存编号:
FQU17P06TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM
仓库库存编号:
FQD8P10TMCT-ND
别名:FQD8P10TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8P10TU
仓库库存编号:
FQU8P10TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F085CT-ND
别名:FQD8P10TM_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD2N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD2N60CTM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD30N06TM
仓库库存编号:
FQD30N06TMCT-ND
别名:FQD30N06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N60CTU
仓库库存编号:
FQU2N60CTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD17P06TF
仓库库存编号:
FQD17P06TFCT-ND
别名:FQD17P06TFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF
仓库库存编号:
FQD2N60CTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF
仓库库存编号:
FQD8P10TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU30N06LTU
仓库库存编号:
FQU30N06LTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06TF
仓库库存编号:
FQD30N06TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06LTM
仓库库存编号:
FQD30N06LTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06LTF
仓库库存编号:
FQD30N06LTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_SB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TM_SB82052-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF_F080
仓库库存编号:
FQD2N60CTF_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06TF_F080
仓库库存编号:
FQD30N06TF_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF_NB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TF_NB82052-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F080
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号