产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK9226-75A,118
仓库库存编号：
1727-7182-1-ND
别名：1727-7182-1
568-9668-1
568-9668-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名：BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 114W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP55N06
仓库库存编号：
FDP55N06-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK7240-100A,118
仓库库存编号：
1727-7158-1-ND
别名：1727-7158-1
568-9641-1
568-9641-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK7219-55A,118
仓库库存编号：
1727-7152-1-ND
别名：1727-7152-1
568-9635-1
568-9635-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK9219-55A,118
仓库库存编号：
1727-7179-1-ND
别名：1727-7179-1
568-9665-1
568-9665-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK9240-100A,118
仓库库存编号：
1727-7184-1-ND
别名：1727-7184-1
568-9670-1
568-9670-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R4-30PL,127
仓库库存编号：
1727-5895-ND
别名：1727-5895
568-7514-5
568-7514-5-ND
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-ND
PSMN3R430PL127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHD12N50E-GE3-ND
别名：SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH11N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R250CP
仓库库存编号：
IPW50R250CP-ND
别名：IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 114W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL150N3LLH5
仓库库存编号：
497-8483-1-ND
别名：497-8483-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH11N60E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH11N60E-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Tc） 114W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD4N60NZ
仓库库存编号：
FDD4N60NZCT-ND
别名：FDD4N60NZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-252
型号：
IXFY4N60P3
仓库库存编号：
IXFY4N60P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP4N60P3
仓库库存编号：
IXFP4N60P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP5N50P3
仓库库存编号：
IXFP5N50P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI50R250CPXKSA1-ND
别名：IPI50R250CP
IPI50R250CP-ND
SP000523750
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N50E-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N50E-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 109A（Tc） 114W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5C658NLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5C658NLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5C658NLTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 109A（Tc） 114W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5C658NLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5C658NLWFTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5C658NLWFTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 114W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R4-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7115-1-ND
别名：1727-7115-1
568-9485-1
568-9485-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 114W（Tc）,
无铅
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