产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(2)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(14)
6-SMD，扁平引线(2)
SC-96(5)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(49)
4-DIP（0.300"，7.62mm）(7)
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STMicroelectronics(1)
Rohm Semiconductor(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(7)
Microchip Technology(62)
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表面贴装(9)
通孔(70)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(74)
150°C（TJ）(5)
重新选择
-(76)
STripFET??(1)
U-MOSVIII-H(2)
重新选择
剪切带（CT） (9)
散装 (35)
带卷（TR） (30)
管件 (5)
重新选择
在售(74)
已不再提供(1)
过期(4)
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TO-92-3(57)
TSMT3(5)
8-SOP(2)
TO-92(1)
4-DIP，Hexdip，HVMDIP(5)
TO-92（TO-226）(5)
TUMT6(2)
4-HVMDIP(2)
重新选择
MOSFET（金属氧化物）(79)
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±30V(15)
±20V(57)
±18V(1)
±10V(1)
±8V(3)
±12V(2)
重新选择
-(62)
13nC @ 10V(2)
17nC @ 10V(1)
2.1nC @ 4.5V(1)
6.5nC @ 4.5V(1)
2.7nC @ 4.5V(1)
24nC @ 10V(1)
7nC @ 10V(2)
23nC @ 10V(1)
8.1nC @ 4.5V(1)
11nC @ 10V(2)
9.8nC @ 10V(1)
2nC @ 5V(1)
19.2nC @ 4.5V(1)
15.2nC @ 4.5V(1)
重新选择
7.5 欧姆 @ 500mA，10V(1)
5 欧姆 @ 500mA，10V(7)
10 欧姆 @ 500mA，10V(3)
6 欧姆 @ 500mA，10V(6)
4 欧姆 @ 500mA，10V(1)
59 毫欧 @ 3.5A，4.5V(1)
25 欧姆 @ 120mA，0V(5)
12 欧姆 @ 500mA，10V(1)
5 欧姆 @ 1A，10V(1)
4 欧姆 @ 1A，10V(1)
3 欧姆 @ 1A，10V(7)
75 毫欧 @ 3A，4.5V(1)
3 欧姆 @ 500mA，10V(5)
8 欧姆 @ 500mA，10V(3)
3.5 欧姆 @ 750mA，10V(3)
1.8 欧姆 @ 1A，10V(3)
1.5 欧姆 @ 750mA，10V(4)
1.2 欧姆 @ 1A，10V(2)
1.3 欧姆 @ 500mA，5V(1)
500 毫欧 @ 580mA，10V(2)
100 毫欧 @ 1.4A，10V(1)
1.25 欧姆 @ 2A，10V(1)
25.8 毫欧 @ 5.5A，4.5V(1)
23.7 毫欧 @ 4.5A，4.5V(1)
16.1 毫欧 @ 7A，10V(1)
21.1 毫欧 @ 6A，4.5V(1)
9.1 毫欧 @ 7.5A，10V(1)
6.2 毫欧 @ 9A，10V(1)
300 毫欧 @ 3A，10V(2)
1.5 欧姆 @ 300mA，5V(1)
60 欧姆 @ 50mA，10V(2)
12 欧姆 @ 100mA，4.5V(1)
125 欧姆 @ 10mA，10V(2)
91 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
800 毫欧 @ 800mA，10V(2)
200 毫欧 @ 860mA，10V(2)
重新选择
10V(13)
5V，10V(29)
4.5V，10V(11)
2.5V，10V(6)
3V，10V(7)
4.5V(6)
0V(5)
2V，5V(2)
重新选择
N 沟道(62)
P 沟道(17)
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2.4A（Tc）(1)
3A（Ta）(1)
3.5A（Ta）(1)
2.5A（Ta）(1)
6A（Ta）(1)
4.5A（Ta）(1)
5.5A（Ta）(1)
1.7A（Tc）(2)
7A（Tc）(1)
1.1A（Tc）(2)
15A（Tc）(1)
450mA（Ta）(3)
19A（Ta）(1)
350mA（Tj）(10)
330mA（Tj）(2)
280mA（Tj）(1)
300mA（Tj）(2)
200mA（Tj）(1)
230mA（Tj）(3)
310mA（Tj）(5)
250mA（Tj）(7)
120mA（Tj）(5)
320mA（Tj）(3)
190mA（Tj）(4)
500mA（Tj）(5)
640mA（Tj）(2)
530mA（Tj）(1)
800mA（Tc）(2)
350mA（Tc）(1)
540mA（Tj）(1)
160mA（Tj）(1)
1.2A（Tj）(2)
50mA（Tj）(2)
54mA（Tj）(2)
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350pF @ 25V(1)
50pF @ 25V(5)
60pF @ 25V(15)
820pF @ 15V(1)
150pF @ 25V(11)
220pF @ 15V(1)
1400pF @ 15V(1)
1080pF @ 10V(1)
250pF @ 25V(2)
200pF @ 25V(2)
400pF @ 25V(1)
70pF @ 25V(2)
300pF @ 25V(7)
900pF @ 15V(1)
125pF @ 25V(6)
110pF @ 25V(1)
55pF @ 25V(2)
240pF @ 25V(2)
460pF @ 10V(1)
950pF @ 15V(1)
65pF @ 25V(5)
70pF @ 20V(3)
190pF @ 20V(2)
200pF @ 20V(1)
43pF @ 25V(1)
240pF @ 15V(1)
1360pF @ 10V(1)
250pF @ 15V(1)
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-(74)
耗尽模式(5)
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-(5)
4V @ 250μA(7)
2.5V @ 250μA(1)
2V @ 1mA(13)
1V @ 1mA(2)
3.5V @ 1mA(4)
3V @ 1mA(1)
2.5V @ 1mA(9)
3V @ 250μA(1)
1.5V @ 1mA(2)
4V @ 1mA(2)
2.4V @ 1mA(9)
1.8V @ 1mA(1)
4.5V @ 1mA(3)
2.4V @ 10mA(2)
1.2V @ 1mA(3)
2V @ 500μA(5)
1.6V @ 500μA(3)
1.6V @ 1mA(3)
2.3V @ 100μA(1)
2.3V @ 200μA(1)
3V @ 5mA(1)
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1W（Tc）(79)
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50V(7)
20V(4)
80V(2)
240V(5)
200V(3)
90V(2)
120V(2)
100V(5)
40V(6)
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60V(24)
400V(3)
350V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2106N3-G
仓库库存编号：
VN2106N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
2N7000-G
仓库库存编号：
2N7000-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN10KN3-G
仓库库存编号：
VN10KN3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP2106N3-G
仓库库存编号：
VP2106N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
2N7008-G
仓库库存编号：
2N7008-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0104N3-G
仓库库存编号：
VN0104N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2540N3-G
仓库库存编号：
DN2540N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0104N3-G
仓库库存编号：
VP0104N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0106N3-G
仓库库存编号：
TN0106N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G
仓库库存编号：
TP0606N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2410L-G
仓库库存编号：
VN2410L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0104N3-G
仓库库存编号：
TN0104N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0610N3-G
仓库库存编号：
TN0610N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0300L-G
仓库库存编号：
VN0300L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 530mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0702N3-G
仓库库存编号：
TN0702N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2406L-G
仓库库存编号：
VN2406L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0808L-G
仓库库存编号：
VP0808L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2535N3-G
仓库库存编号：
DN2535N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0606L-G
仓库库存编号：
VN0606L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9010PBF
仓库库存编号：
IRFD9010PBF-ND
别名：*IRFD9010PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G
仓库库存编号：
TN0620N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD020PBF
仓库库存编号：
IRFD020PBF-ND
别名：*IRFD020PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN1206L-G
仓库库存编号：
VN1206L-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 540mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2224N3-G
仓库库存编号：
VN2224N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
型号：
RQ5E030AJTCL
仓库库存编号：
RQ5E030AJTCLCT-ND
别名：RQ5E030AJTCLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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