以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN022-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7117-1-ND
  别名：1727-7117-1
  568-9487-1
  568-9487-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN022-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5893-ND
  别名：1727-5893
  568-7512-5
  568-7512-5-ND
  934063985127
  PSMN022-30PL,127-ND
  PSMN02230PL127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI530NPBF
  仓库库存编号：IRLI530NPBF-ND
  别名：*IRLI530NPBF
  SP001573830
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10L
  仓库库存编号：FQPF33N10LFS-ND
  别名：FQPF33N10L-ND
  FQPF33N10LFS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI530NPBF
  仓库库存编号：IRFI530NPBF-ND
  别名：*IRFI530NPBF
  SP001554868
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF15P12
  仓库库存编号：FQPF15P12-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA037N08N3 G
  仓库库存编号：IPA037N08N3 G-ND
  别名：IPA037N08N3G
  IPA037N08N3GXKSA1
  SP000446772
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S410ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S410ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S410ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606036
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N20FT
  仓库库存编号：FDPF18N20FT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10
  仓库库存编号：FQPF33N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPA032N06N3 G
  IPA032N06N3 G-ND
  IPA032N06N3G
  SP000453608
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SI3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SI3DI-ND
  别名：DMJ70H1D3SI3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SH3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SH3DI-ND
  别名：DMJ70H1D3SH3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 41W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMN60H4D5SK3-13
  仓库库存编号：DMN60H4D5SK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 41W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS782DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS782DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMN60H3D5SK3-13
  仓库库存编号：DMN60H3D5SK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ15S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ15S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ15S06M3L(T6L1NQ
  TJ15S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ20S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
  TJ20S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7SAUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG3N60SJ3
  仓库库存编号：DMG3N60SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 600V 3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG4N60SJ3
  仓库库存编号：DMG4N60SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SJ3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMN80H2D0SCTI
  仓库库存编号：DMN80H2D0SCTI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 41W（Tc）,
• 搜索