产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86106LZ
仓库库存编号:
FDT86106LZCT-ND
别名:FDT86106LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87090T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87090T-U/MFCT-ND
别名:MCP87090T-U/MFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86244
仓库库存编号:
FDT86244CT-ND
别名:FDT86244CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 2.2W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN15A27KTC
仓库库存编号:
ZXMN15A27KTCCT-ND
别名:ZXMN15A27KTCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86246
仓库库存编号:
FDT86246CT-ND
别名:FDT86246CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87022T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87022T-U/MFCT-ND
别名:MCP87022T-U/MFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 2.2W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMNH4006SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH4006SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH4006SK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87018T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87018T-U/MFCT-ND
别名:MCP87018T-U/MFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 18A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMNH4006SK3-13
仓库库存编号:
DMNH4006SK3-13DICT-ND
别名:DMNH4006SK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87050T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87050T-U/MFCT-ND
别名:MCP87050T-U/MFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86102LZ
仓库库存编号:
FDT86102LZFSCT-ND
别名:FDT86102LZFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86113LZ
仓库库存编号:
FDT86113LZCT-ND
别名:FDT86113LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 2.2W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN20B28KTC
仓库库存编号:
ZXMN20B28KTCCT-ND
别名:ZXMN20B28KTCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-13
仓库库存编号:
DMP2005UFG-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-7
仓库库存编号:
DMP2005UFG-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87030T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87030T-U/MFCT-ND
别名:MCP87030T-U/MFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ7064AS
仓库库存编号:
FDZ7064AS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 13A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 13A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ206P
仓库库存编号:
FDZ206P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ208P
仓库库存编号:
FDZ208P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ7064N
仓库库存编号:
FDZ7064N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.1A(Ta) 2.2W(Ta) 4-FlipFet?
型号:
IRF6100
仓库库存编号:
IRF6100CT-ND
别名:*IRF6100
IRF6100CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.1A(Ta) 2.2W(Ta) 4-FlipFet?
型号:
IRF6100PBF
仓库库存编号:
IRF6100PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),
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