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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN8R0-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7216-1-ND
  别名：1727-7216-1
  568-9707-1
  568-9707-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN034-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7211-1-ND
  别名：1727-7211-1
  568-9702-1
  568-9702-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN015-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4656-ND
  别名：1727-4656
  568-5773
  568-5773-5
  568-5773-5-ND
  568-5773-ND
  934064328127
  PSMN015-60PS,127-ND
  PSMN01560PS127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DPBF
  仓库库存编号：IRFR13N15DPBF-ND
  别名：SP001556864
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 32A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN034-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4660-ND
  别名：1727-4660
  568-5777
  568-5777-5
  568-5777-5-ND
  568-5777-ND
  934064325127
  PSMN034-100PS,127-ND
  PSMN034100PS127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 77A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R0-40PS,127
  仓库库存编号：1727-4262-ND
  别名：1727-4262
  568-4893-5
  568-4893-5-ND
  934063913127
  PSMN8R040PS127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN015-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7207-1-ND
  别名：1727-7207-1
  568-9698-1
  568-9698-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030KNX
  仓库库存编号：R6030KNX-ND
  别名：R6030KNXTR
  R6030KNXTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030KNZC8
  仓库库存编号：R6030KNZC8-ND
  别名：R6030KNZC8TR
  R6030KNZC8TR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N100P
  仓库库存编号：IXTY2N100P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N100P
  仓库库存编号：IXTP2N100P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N100P
  仓库库存编号：IXTA2N100P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N120P
  仓库库存编号：IXTP1R4N120P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1R4N120P
  仓库库存编号：IXTA1R4N120P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEAUMA1-ND
  别名：SP001396908
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEATMA1-ND
  别名：SP001295798
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R600CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R600CEAUMA1-ND
  别名：SP001466998
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R650CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R650CEAKMA1-ND
  别名：SP001422888
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001605364
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRPBF-ND
  别名：SP001571424
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001407894
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252
  
  型号：IPAW70R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW70R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001619370
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 49A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF65N06
  仓库库存编号：FQAF65N06-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU13N15D
  仓库库存编号：IRFU13N15D-ND
  别名：*IRFU13N15D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 86W（Tc）,
• 含铅
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