产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R1-25YLC,115
仓库库存编号：
1727-5296-1-ND
别名：1727-5296-1
568-6726-1
568-6726-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 215W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP19N40
仓库库存编号：
FDP19N40-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5295-1-ND
别名：1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA2-ND
别名：SP001067884
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S208AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S208AKSA2-ND
别名：SP001067886
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S208AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S208AKSA2-ND
别名：SP001067888
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
型号：
STB85NS04Z
仓库库存编号：
497-7954-1-ND
别名：497-7954-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 50V 60A（Tc） 215W（Tc） TO-247
型号：
RFG60P05E
仓库库存编号：
RFG60P05E-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 215W（Tc） TO-220AB
型号：
ISL9N303AP3
仓库库存编号：
ISL9N303AP3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 215W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
ISL9N303AS3ST
仓库库存编号：
ISL9N303AS3ST-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 215W（Tc） TO-262AA
型号：
ISL9N303AS3
仓库库存编号：
ISL9N303AS3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 280V 46A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 280V 46A（Tc） 215W（Tc） TO-3PF
型号：
FDAF75N28
仓库库存编号：
FDAF75N28-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5426NT4G
仓库库存编号：
NTB5426NT4G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 215W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5426NG
仓库库存编号：
NTP5426NG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 42A（Tc） 215W（Tc） TO-247-3
型号：
CMF20120D
仓库库存编号：
CMF20120D-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
型号：
NVB5426NT4G
仓库库存编号：
NVB5426NT4G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-08
仓库库存编号：
SPB80N06S2-08-ND
别名：SP000016356
SPB80N06S208T
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-08
仓库库存编号：
SPI80N06S2-08-ND
别名：SP000013911
SPI80N06S208
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-08
仓库库存编号：
SPP80N06S2-08-ND
别名：SP000012822
SPP80N06S208
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S208AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S208AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2-08
IPI80N06S2-08-ND
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
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IPP80N06S208AKSA1
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IPP80N06S208AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-08
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SP000218826
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 215W（Tc）,
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