产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Infineon Technologies (6)
Fairchild/ON Semiconductor (21)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4286
仓库库存编号:
785-1647-5-ND
别名:785-1647-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名:BSC079N03LSCGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N15TM
仓库库存编号:
FQD5N15TMCT-ND
别名:FQD5N15TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N20TM
仓库库存编号:
FQD4N20TMFSCT-ND
别名:FQD4N20TMFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU_WS
仓库库存编号:
FQU2N50BTU_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4286
仓库库存编号:
AOD4286-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU4N20TU
仓库库存编号:
FQU4N20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N20LTM
仓库库存编号:
FQD4N20LTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N20LTF
仓库库存编号:
FQD4N20LTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N15TF
仓库库存编号:
FQD5N15TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N20TF
仓库库存编号:
FQD4N20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N40TU
仓库库存编号:
FQU3N40TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N30TF
仓库库存编号:
FQD3N30TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N30TM
仓库库存编号:
FQD3N30TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N40TM
仓库库存编号:
FQD3N40TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N40TF
仓库库存编号:
FQD3N40TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TF
仓库库存编号:
FQD1N60TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU
仓库库存编号:
FQU2N50BTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60TU
仓库库存编号:
FQU1N60TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TM
仓库库存编号:
FQD1N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TM
仓库库存编号:
FQD2N50TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TF
仓库库存编号:
FQD2N50TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号