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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N04LS G
  仓库库存编号：BSC016N04LS GCT-ND
  别名：BSC016N04LS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06LS3 GCT
  BSC028N06LS3 GCT-ND
  BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSIATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC017N04NS G
  仓库库存编号：BSC017N04NS GCT-ND
  别名：BSC017N04NS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03LS G
  仓库库存编号：BSC014N03LS GCT-ND
  别名：BSC014N03LS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC016N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC016N06NS
  BSC016N06NS-ND
  BSC016N06NSATMA1CT
  BSC016N06NSCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）,
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