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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NPBF
  SP001560182
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105PBFCT-ND
  别名：*IRFR4105TRPBF
  IRFR4105PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ34NPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NPBF-ND
  别名：*IRLZ34NPBF
  SP001553290
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP530N15N3 G
  仓库库存编号：IPP530N15N3 G-ND
  别名：IPP530N15N3G
  IPP530N15N3GXKSA1
  SP000521722
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001277624
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N03S4L-04
  仓库库存编号：IPD70N03S4L-04CT-ND
  别名：IPD70N03S4L-04CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001296232
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA82EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 57A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 57A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA92EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA92EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 75A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA04EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA04EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA04EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ454EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ454EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 32A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ479EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ479EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ407EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001467044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429758
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 48A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ418EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ418EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ444EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET P-CH 12V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ411EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ411EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA80EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA80EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET P-CH 30V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ403BEEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ403BEEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ403BEEP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA2
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
  别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
  
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  MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R950CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R950CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R950CEAUMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD350N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD350N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD350N06LGBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 150V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3GATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NPBF-ND
  别名：*IRFZ34NPBF
  SP001568128
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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