产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (34)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (2)
Texas Instruments (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6410ANT4G
仓库库存编号：
NTB6410ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6410ANT4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19533KCS
仓库库存编号：
296-37482-5-ND
别名：296-37482-5
CSD19533KCS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
库存产品核实请求
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3-03
仓库库存编号：
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18503KCS
仓库库存编号：
296-34974-5-ND
别名：296-34974-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19503KCS
仓库库存编号：
296-37481-5-ND
别名：296-37481-5
CSD19503KCS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP076N12N3 G
仓库库存编号：
IPP076N12N3 G-ND
别名：IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI040N06N3GXKSA1-ND
别名：SP000680656
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443_F085
仓库库存编号：
FDB8443_F085CT-ND
别名：FDB8443_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP8443_F085
仓库库存编号：
FDP8443_F085-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名：SP000680650
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），120A（Tc） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443
仓库库存编号：
FDB8443CT-ND
别名：FDB8443CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名：IPB120N04S401ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名：IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP085N10A_F102
仓库库存编号：
FDP085N10A_F102-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB037N06N3 G
仓库库存编号：
IPB037N06N3 GCT-ND
别名：IPB037N06N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB029N06N3 G
仓库库存编号：
IPB029N06N3 GCT-ND
别名：IPB029N06N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL225N6F7AG
仓库库存编号：
497-17551-1-ND
别名：497-17551-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL285N4F7AG
仓库库存编号：
STL285N4F7AG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6410ANG
仓库库存编号：
NTP6410ANG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
型号：
NVB6410ANT4G
仓库库存编号：
NVB6410ANT4G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N03S4L01ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
