产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(5)
TO-220-3(10)
TO-247-3(7)
TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA(2)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）(7)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
ISOPLUS264?(1)
SOT-227-4，miniBLOC(1)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB(5)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
TO-220-3（SMT）标片(1)
PLUS-220SMD(1)
重新选择
Vishay Siliconix(1)
IXYS(10)
Infineon Technologies(35)
重新选择
表面贴装(22)
通孔(23)
底座安装(1)
重新选择
-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(10)
-55°C ~ 175°C（TJ）(35)
重新选择
-(1)
HiPerFET?，Polar3?(4)
HiPerFET??(1)
HiPerFET?，PolarP2?(4)
CoolMOS??(1)
HEXFET?(35)
重新选择
剪切带（CT） (7)
带卷（TR） (6)
管件 (33)
重新选择
在售(32)
已不再提供(6)
不可用于新设计(1)
过期(7)
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D2PAK(5)
TO-220AB(10)
TO-247-3(1)
D-PAK（TO-252AA）(2)
TO-247AC(2)
D2PAK-7(1)
TO-247AD(1)
D2PAK（7-Lead）(12)
TO-3P(1)
ISOPLUS264?(1)
TO-247AD（IXFH）(3)
SOT-227B(1)
TO-262(3)
TO-263（IXFA）(1)
PLUS220(1)
PLUS-220SMD(1)
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MOSFET（金属氧化物）(46)
重新选择
±30V(9)
±20V(27)
±16V(10)
重新选择
210nC @ 10V(1)
110nC @ 10V(3)
36nC @ 10V(4)
56nC @ 10V(4)
120nC @ 10V(2)
250nC @ 10V(1)
240nC @ 10V(9)
220nC @ 10V(1)
360nC @ 10V(1)
330nC @ 10V(2)
230nC @ 10V(2)
160nC @ 4.5V(3)
140nC @ 4.5V(7)
390nC @ 10V(1)
320nC @ 10V(2)
180nC @ 4.5V(3)
重新选择
60 毫欧 @ 25A，10V(1)
1.9 毫欧 @ 180A，10V(3)
1.25 毫欧 @ 195A，10V(3)
1.7 毫欧 @ 195A，10V(2)
11 毫欧 @ 62A，10V(2)
2.4 毫欧 @ 165A，10V(7)
40 毫欧 @ 34A，10V(1)
1.75 毫欧 @ 195A，10V(6)
4 毫欧 @ 110A，10V(2)
11.8 毫欧 @ 63A，10V(3)
7.5 毫欧 @ 85A，10V(2)
1.4 毫欧 @ 200A，10V(3)
280 毫欧 @ 19A，10V(1)
300 毫欧 @ 10A，10V(4)
1.4 欧姆 @ 5A，10V(1)
900 毫欧 @ 6A，10V(3)
74 毫欧 @ 44A，10V(1)
1.6 毫欧 @ 180A，10V(1)
重新选择
10V(33)
4.5V，10V(13)
重新选择
N 沟道(46)
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12A（Tc）(3)
10A（Tc）(1)
20A（Tc）(3)
180A（Tc）(1)
8A（Tc）(1)
44A（Tc）(2)
29A（Tc）(1)
240A（Tc）(9)
56A（Tc）(1)
104A（Tc）(2)
195A（Tc）(13)
195A（Ta）(2)
190A（Tc）(2)
105A（Tc）(3)
142A（Tc）(2)
重新选择
-(1)
9200pF @ 25V(6)
3080pF @ 25V(3)
13500pF @ 25V(1)
1800pF @ 25V(4)
11270pF @ 50V(3)
9130pF @ 25V(3)
3030pF @ 25V(1)
5270pF @ 50V(2)
11210pF @ 50V(7)
9830pF @ 50V(2)
8920pF @ 25V(2)
5320pF @ 50V(3)
7750pF @ 25V(2)
10990pF @ 40V(3)
4220pF @ 25V(1)
11220pF @ 25V(1)
3860pF @ 25V(1)
重新选择
-(45)
超级结(1)
重新选择
4V @ 250μA(18)
2.5V @ 250μA(13)
5V @ 250μA(5)
5.5V @ 8mA(1)
6.5V @ 1mA(4)
5V @ 1.5mA(4)
3.9V @ 4mA(1)
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380W（Tc）(46)
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150V(5)
200V(1)
24V(1)
75V(2)
100V(2)
40V(14)
60V(10)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRLS3036TRL7PP
仓库库存编号：
IRLS3036TRL7PPCT-ND
别名：IRLS3036TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS3004TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS3004TRL7PPCT-ND
别名：IRFS3004TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4115PBF
仓库库存编号：
IRFB4115PBF-ND
别名：64-0099PBF
64-0099PBF-ND
SP001565902
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLB3036PBF
仓库库存编号：
IRLB3036PBF-ND
别名：64-0100PBF
64-0100PBF-ND
SP001568396
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Ta） 380W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3004TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3004TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3004TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 190A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4010TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS4010TRL7PPCT-ND
别名：IRFS4010TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3004PBF
仓库库存编号：
IRFB3004PBF-ND
别名：SP001572420
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4004PBF
仓库库存编号：
IRFP4004PBF-ND
别名：SP001556734
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 105A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS4115TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS4115TRL7PPCT-ND
别名：IRFS4115TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 142A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1607PBF
仓库库存编号：
IRF1607PBF-ND
别名：*IRF1607PBF
SP001553894
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4115GPBF
仓库库存编号：
IRFB4115GPBF-ND
别名：SP001572390
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-262
型号：
IRLSL3036PBF
仓库库存编号：
IRLSL3036PBF-ND
别名：SP001559028
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRLS3034TRL7PP
仓库库存编号：
IRLS3034TRL7PPCT-ND
别名：IRLS3034TRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
型号：
IRLS3036TRLPBF
仓库库存编号：
IRLS3036TRLPBFCT-ND
别名：IRLS3036TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 380W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL38N100Q2
仓库库存编号：
IXFL38N100Q2-ND
别名：614235
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB260NPBF
仓库库存编号：
IRFB260NPBF-ND
别名：*IRFB260NPBF
SP001551726
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP20N50P3
仓库库存编号：
IXFP20N50P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ20N50P3
仓库库存编号：
IXFQ20N50P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA20N50P3
仓库库存编号：
IXFA20N50P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N50P3
仓库库存编号：
IXFH20N50P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90P
仓库库存编号：
IXFH12N90P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH10N100P
仓库库存编号：
IXFH10N100P-ND
别名：Q4374359
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 44A（Tc） 380W（Tc） SOT-227B
型号：
IXKN45N80C
仓库库存编号：
IXKN45N80C-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLS3036TRL
仓库库存编号：
AUIRLS3036TRL-ND
别名：SP001519912
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRLS3036-7TRL
仓库库存编号：
AUIRLS3036-7TRL-ND
别名：SP001518960
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 380W（Tc）,
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