产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (2)
IXYS (1)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2614
仓库库存编号:
FDB2614CT-ND
别名:FDB2614CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2710
仓库库存编号:
FDB2710CT-ND
别名:FDB2710CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 260W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP2710
仓库库存编号:
FDP2710-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 62A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 260W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP2614
仓库库存编号:
FDP2614FS-ND
别名:FDP2614-ND
FDP2614FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF8010PBF
仓库库存编号:
IRF8010PBF-ND
别名:*IRF8010PBF
SP001575444
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 260W(Tc) D2PAK
型号:
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号:
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名:IRF8010STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 260W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP460
仓库库存编号:
IRFP460IX-ND
别名:IRFP460IX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76443P3
仓库库存编号:
HUF76443P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76443P3
仓库库存编号:
HUFA76443P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76443S3S
仓库库存编号:
HUFA76443S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76443S3ST
仓库库存编号:
HUFA76443S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 650V 16A(Tc) 260W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA15N65
仓库库存编号:
FDA15N65-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 260W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号