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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR5198NLT1G
  仓库库存编号：NTR5198NLT1GOSCT-ND
  别名：NTR5198NLT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMG3415U-7
  仓库库存编号：DMG3415UDICT-ND
  别名：DMG3415UDICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN3023L-7
  仓库库存编号：DMN3023L-7DICT-ND
  别名：DMN3023L-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDFS2P106A
  仓库库存编号：FDFS2P106ACT-ND
  别名：FDFS2P106A_NLCT
  FDFS2P106A_NLCT-ND
  FDFS2P106ACT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMG7430LFG-7
  仓库库存编号：DMG7430LFG-7DICT-ND
  别名：DMG7430LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3008SFG-7
  仓库库存编号：DMP3008SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3008SFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 900mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：SSN1N45BTA
  仓库库存编号：SSN1N45BTACT-ND
  别名：SSN1N45BTACT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），30A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3010LFG-7
  仓库库存编号：DMN3010LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3010LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3030LFG-7
  仓库库存编号：DMN3030LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3030LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 900mW（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U34TR
  仓库库存编号：QS5U34CT-ND
  别名：QS5U34CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 900mW（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U17TR
  仓库库存编号：QS5U17CT-ND
  别名：QS5U17CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGTR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGCT-ND
  别名：TSM2301BCX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGTR-ND
  别名：TSM2311CX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGCT-ND
  别名：TSM2311CX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2311CX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3008SFGQ-7
  仓库库存编号：DMP3008SFGQ-7DICT-ND
  别名：DMP3008SFGQ-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 900mW（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3360-TL-W
  仓库库存编号：CPH3360-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH3360-TL-WOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3024SFG-7
  仓库库存编号：DMN3024SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3024SFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 900mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMN1032UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1032UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1032UCB4-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 900mW（Ta） SOT-89
  
  型号：DMN30H14DLY-13
  仓库库存编号：DMN30H14DLY-13DICT-ND
  别名：DMN30H14DLY-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN7022LFG-7
  仓库库存编号：DMN7022LFG-7DICT-ND
  别名：DMN7022LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），45A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3009SFG-7
  仓库库存编号：DMN3009SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3009SFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.7A（Ta），42A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2010UFG-7
  仓库库存编号：DMP2010UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2010UFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 900mW（Ta）,
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