产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4321PBF
仓库库存编号：
IRFI4321PBF-ND
别名：SP001556676
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 71A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 71A（Tc） 46W（Tc） TO-220
型号：
IRFI3306GPBF
仓库库存编号：
IRFI3306GPBF-ND
别名：SP001556626
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM170N06CH C5G
仓库库存编号：
TSM170N06CH C5G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4228PBF
仓库库存编号：
IRFI4228PBF-ND
别名：SP001566198
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 46W（Tc）
型号：
SQD19P06-60L_GE3
仓库库存编号：
SQD19P06-60L_GE3CT-ND
别名：SQD19P06-60L_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFI4229PBF
仓库库存编号：
IRFI4229PBF-ND
别名：SP001575824
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 46W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF067N65S3
仓库库存编号：
FCPF067N65S3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S408ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4227PBF
仓库库存编号：
IRFI4227PBF-ND
别名：SP001564096
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 46W（Tc） TO-220FM
型号：
R6007KNX
仓库库存编号：
R6007KNX-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 46W（Tc） DPAK+
型号：
TK15S04N1L,LQ
仓库库存编号：
TK15S04N1LLQCT-ND
别名：TK15S04N1LLQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50N04S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S4L08ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF13N03LA G
仓库库存编号：
IPF13N03LAGINCT-ND
别名：IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 46W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名：IPL60R365P7AUMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGTR-ND
别名：TSM170N06CP ROGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGCT-ND
别名：TSM170N06CP ROGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGDKR-ND
别名：TSM170N06CP ROGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C673NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ446EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ446EP-T1_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 46W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD19P06-60L_T4GE3
仓库库存编号：
SQD19P06-60L_T4GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ840EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ840EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ840EP-T1-GE3
SQJ840EP-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 46W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385614
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 46W（Tc） D-Pak
型号：
STD2NM60T4
仓库库存编号：
STD2NM60T4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 3A（Tc） 46W（Tc） D-Pak
型号：
STD3NM50T4
仓库库存编号：
STD3NM50T4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 46W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN9R0-30YL,115
仓库库存编号：
568-4687-1-ND
别名：568-4687-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 46W（Tc）,
无铅
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