产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(5)
TO-220-3(7)
TO-247-3(7)
4-PowerTSFN(3)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
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Infineon Technologies(25)
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表面贴装(8)
通孔(17)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(19)
-40°C ~ 150°C（TJ）(6)
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CoolMOS??(17)
CoolMOS? P6(4)
汽车级，AEC-Q101，CoolMOS?(3)
CoolMOS? E6(1)
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带卷（TR） (3)
管件 (17)
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PG-TO263-2(1)
PG-VSON-4(3)
PG-TO-220-3(7)
PG-TO263(4)
PG-TO247-3(7)
PG-TO262-3(3)
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MOSFET（金属氧化物）(25)
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±20V(25)
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37nC @ 10V(2)
63nC @ 10V(6)
73nC @ 10V(7)
11nC @ 10V(2)
68nC @ 10V(8)
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190 毫欧 @ 9.5A，10V(6)
190 毫欧 @ 7.3A，10V(14)
190 毫欧 @ 7.6A，10V(3)
210 毫欧 @ 7.6A，10V(1)
210 毫欧 @ 7.3A，10V(1)
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10V(25)
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N 沟道(25)
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19.2A（Tc）(1)
20.2A（Tc）(16)
17.5A（Tc）(7)
16.6A（Tc）(1)
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1400pF @ 100V(6)
1850pF @ 100V(8)
1750pF @ 100V(4)
1620pF @ 100V(7)
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-(25)
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3.5V @ 630μA(6)
4.5V @ 730μA(4)
4.5V @ 630μ(2)
3.5V @ 730μA(6)
3.5V @ 700μA(1)
4.5V @ 630μA(2)
4.5V @ 700μA(4)
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151W（Tc）(25)
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600V(10)
650V(15)
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFD
仓库库存编号：
IPW65R190CFD-ND
别名：IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190P6
仓库库存编号：
IPP60R190P6-ND
别名：IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190C6
仓库库存编号：
IPW60R190C6-ND
别名：IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190E6
仓库库存编号：
IPW60R190E6-ND
别名：IPW60R190E6FKSA1
SP000797384
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190E6XKSA1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名：IPL60R210P6AUMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190CFD
仓库库存编号：
IPB65R190CFDCT-ND
别名：IPB65R190CFDCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R190C6
仓库库存编号：
IPB60R190C6INCT-ND
别名：IPB60R190C6INCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190C6
仓库库存编号：
IPP60R190C6-ND
别名：IPP60R190C6XKSA1
SP000621158
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190P6
仓库库存编号：
IPW60R190P6-ND
别名：IPW60R190P6FKSA1
SP001017090
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190C6XKSA1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名：IPB60R190P6ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190E6
仓库库存编号：
IPP60R190E6-ND
别名：IPP60R190E6XKSA1
SP000797378
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名：SP001074938
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名：SP000928264
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名：SP000928266
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名：IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名：IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928268
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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