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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190CFD
  仓库库存编号：IPW65R190CFD-ND
  别名：IPW65R190CFDFKSA1
  SP000905376
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190P6
  仓库库存编号：IPP60R190P6-ND
  别名：IPP60R190P6XKSA1
  SP001017066
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190C6
  仓库库存编号：IPW60R190C6-ND
  别名：IPW60R190C6FKSA1
  SP000621160
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190E6
  仓库库存编号：IPW60R190E6-ND
  别名：IPW60R190E6FKSA1
  SP000797384
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190E6XKSA1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R210P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R210P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R210P6AUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190CFD
  仓库库存编号：IPB65R190CFDCT-ND
  别名：IPB65R190CFDCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190C6
  仓库库存编号：IPP60R190C6-ND
  别名：IPP60R190C6XKSA1
  SP000621158
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C6XKSA1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R190CFD
  IPP65R190CFD-ND
  SP000881160
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190E6
  仓库库存编号：IPP60R190E6-ND
  别名：IPP60R190E6XKSA1
  SP000797378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R210CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R210CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949256
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R190E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R190E6AUMA1-ND
  别名：SP001074938
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R190C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R190C6CT
  IPB65R190C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R190C6
  IPI60R190C6-ND
  SP000660618
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R190CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R190CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R190CFD
  IPI65R190CFD-ND
  SP000905386
  
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  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R190C6
  IPI65R190C6-ND
  SP000863900
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R190CFDAATMA1-ND
  别名：SP000928264
  
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  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000928266
  
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  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190C6FKSA1-ND
  别名：IPW65R190C6
  IPW65R190C6-ND
  SP000863902
  
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  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190E6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190E6FKSA1-ND
  别名：IPW65R190E6
  IPW65R190E6-ND
  SP000863906
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000928268
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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