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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N50APBF
  仓库库存编号：IRFP22N50APBF-ND
  别名：*IRFP22N50APBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 180A（Tc） 277W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N08S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N08S402ATMA1-ND
  别名：SP000983458
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N50A
  仓库库存编号：IRFP22N50A-ND
  别名：*IRFP22N50A
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA18N50V2
  仓库库存编号：FQA18N50V2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH18N50V2
  仓库库存编号：FQH18N50V2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80DA15T1G
  仓库库存编号：APTC80DA15T1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80SK15T1G
  仓库库存编号：APTC80SK15T1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 277W（Tc）,
• 无铅
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