产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA30N40
仓库库存编号:
FQA30N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 290W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7534TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7534TRL7PPCT-ND
别名:IRFS7534TRL7PPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT8M100B
仓库库存编号:
APT8M100B-ND
别名:APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU3
仓库库存编号:
APT50M75JLLU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 183A(Tc) 290W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7734TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7734TRLPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU2
仓库库存编号:
APT40N60JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7F100B
仓库库存编号:
APT7F100B-ND
别名:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT15F60B
仓库库存编号:
APT15F60B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1700V 1A(Tc) 290W(Tc) TO-263
型号:
IXTA1N170DHV
仓库库存编号:
IXTA1N170DHV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2A(Tc) 290W(Tc) TO-247
型号:
IXTH2N150L
仓库库存编号:
IXTH2N150L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 13A(Tc) 290W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N120P
仓库库存编号:
IXFR20N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU3
仓库库存编号:
APT40N60JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 290W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N100P
仓库库存编号:
IXFR26N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU2
仓库库存编号:
APT50M75JLLU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU3
仓库库存编号:
APT33N90JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 290W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2903ZSTRLP
仓库库存编号:
IRF2903ZSTRLPCT-ND
别名:IRF2903ZSTRLPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7734PBF
仓库库存编号:
IRFSL7734PBF-ND
别名:SP001557658
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2903ZPBF
仓库库存编号:
IRF2903ZPBF-ND
别名:SP001561574
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7734PBF
仓库库存编号:
IRFB7734PBF-ND
别名:SP001565862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 160A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2903Z
仓库库存编号:
AUIRF2903Z-ND
别名:SP001519238
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA24N50
仓库库存编号:
FQA24N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 290W(Tc),
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