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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N60P
  仓库库存编号：IXFH36N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 650W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA90N20DPBF
  仓库库存编号：IRFBA90N20DPBF-ND
  别名：*IRFBA90N20DPBF
  SP001551776
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N80P
  仓库库存编号：IXFH24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH230N10T
  仓库库存编号：IXFH230N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N80P
  仓库库存编号：IXFK24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT36N60P
  仓库库存编号：IXFT36N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60P
  仓库库存编号：IXFK36N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 650W（Tc）,
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