产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
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电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
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分立半导体产品
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(13)
3-UFDFN(1)
6-SMD，扁平引线(10)
SC-96(9)
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Diodes Incorporated(1)
Panasonic Electronic Components(10)
Nexperia USA Inc.(1)
Rohm Semiconductor(9)
Infineon Technologies(12)
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表面贴装(33)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(14)
150°C（TJ）(14)
125°C（TJ）(5)
重新选择
-(21)
HEXFET?(12)
重新选择
剪切带（CT） (26)
带卷（TR） (7)
重新选择
在售(24)
已不再提供(2)
不可用于新设计(2)
过期(5)
重新选择
TO-236AB（SOT23）(1)
3-DFN1006（1.0x0.6）(1)
TSMT3(9)
Micro3?/SOT-23(12)
WSSMini6-F1(10)
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MOSFET（金属氧化物）(33)
重新选择
±20V(14)
±10V(8)
±8V(2)
±12V(9)
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-(11)
2.1nC @ 4.5V(1)
3.9nC @ 4.5V(3)
5nC @ 10V(3)
4.5nC @ 4.5V(2)
3.5nC @ 10V(1)
3.6nC @ 4.45V(2)
5.1nC @ 10V(3)
3.5nC @ 5V(1)
2nC @ 4.5V(1)
6.5nC @ 10V(1)
4.9nC @ 10V(1)
3.6nC @ 4.5V(1)
9.5nC @ 10V(1)
0.85nC @ 4.5V(1)
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400 毫欧 @ 500mA，4.5V(1)
600 毫欧 @ 610mA，4.5V(3)
250 毫欧 @ 930mA，4.5V(3)
600 毫欧 @ 600mA，10V(3)
350 毫欧 @ 200mA，4.5V(1)
105 毫欧 @ 2A，4.5V(1)
160 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
170 毫欧 @ 2A，10V(1)
105 毫欧 @ 1A，4V(3)
250 毫欧 @ 910mA，10V(3)
8.8 欧姆 @ 250mA，10V(1)
130 毫欧 @ 1A，4V(1)
420 毫欧 @ 500mA，4V(3)
190 毫欧 @ 2A，10V(3)
85 毫欧 @ 3A，10V(1)
520 毫欧 @ 1A，10V(1)
120 毫欧 @ 1A，4V(3)
重新选择
2.5V(1)
4.5V，10V(6)
2.7V，4.5V(6)
1.8V，4.5V(1)
2.5V，4V(6)
1.5V，4.5V(1)
1.8V，4V(2)
4V，10V(8)
1.8 V，4V(2)
重新选择
N 沟道(16)
P 沟道(17)
重新选择
1A（Ta）(4)
1.3A（Ta）(1)
500mA（Ta）(1)
3A（Ta）(1)
2A（Ta）(9)
1.5A（Ta）(1)
2.2A（Ta）(3)
850mA（Ta）(1)
1.2A（Ta）(6)
780mA（Ta）(3)
760mA（Ta）(3)
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80pF @ 10V(3)
400pF @ 10V(1)
83pF @ 24V(1)
140pF @ 25V(1)
300pF @ 10V(3)
500pF @ 10V(3)
70pF @ 25V(1)
110pF @ 15V(3)
97pF @ 15V(3)
75pF @ 25V(3)
280pF @ 10V(3)
180pF @ 10V(2)
230pF @ 10V(1)
85pF @ 25V(3)
70.13pF @ 15V(1)
380pF @ 10V(1)
重新选择
-(30)
肖特基二极管（隔离式）(3)
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1V @ 250μA(7)
1.5V @ 250μA(3)
1V @ 1mA(1)
3V @ 1mA(4)
700mV @ 250μA(3)
2.5V @ 1mA(4)
400mV @ 1mA（最小）(1)
1.5V @ 1mA(3)
1.3V @ 1mA(4)
1.1V @ 1mA(3)
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540mW（Ta）(33)
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20V(17)
25V(1)
100V(1)
30V(8)
60V(2)
250V(1)
45V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 850mA（Ta） 540mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSH103,215
仓库库存编号：
1727-4319-1-ND
别名：1727-4319-1
568-5013-1
568-5013-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2402TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2402PBFCT-ND
别名：*IRLML2402TRPBF
IRLML2402PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6302TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6302PBFCT-ND
别名：*IRLML6302TRPBF
IRLML6302PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5103TRPBF
仓库库存编号：
IRLML5103PBFCT-ND
别名：*IRLML5103TRPBF
IRLML5103PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RRR015P03TL
仓库库存编号：
RRR015P03TLCT-ND
别名：RRR015P03TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RSR020N06TL
仓库库存编号：
RSR020N06TLCT-ND
别名：RSR020N06TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
MTM862270LBF
仓库库存编号：
MTM862270LBFCT-ND
别名：MTM862270LBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2402GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML2402GTRPBFCT-ND
别名：IRLML2402GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML2803GTRPBFCT-ND
别名：IRLML2803GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6302GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML6302GTRPBFCT-ND
别名：IRLML6302GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RDR005N25TL
仓库库存编号：
RDR005N25TLCT-ND
别名：RDR005N25TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5103GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML5103GTRPBFCT-ND
别名：IRLML5103GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 1.3A（Ta） 540mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
型号：
DMN2600UFB-7
仓库库存编号：
DMN2600UFB-7DICT-ND
别名：DMN2600UFB-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
MTM861280LBF
仓库库存编号：
MTM861280LBFCT-ND
别名：MTM861280LBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RSR020P05TL
仓库库存编号：
RSR020P05TLCT-ND
别名：RSR020P05TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RQ5H020SPTL
仓库库存编号：
RQ5H020SPTLCT-ND
别名：RQ5H020SPTLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RSR030N06TL
仓库库存编号：
RSR030N06TLCT-ND
别名：RSR030N06TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2803PBFCT-ND
别名：*IRLML2803TRPBF
IRLML2803PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RUR020N02TL
仓库库存编号：
RUR020N02TLCT-ND
别名：RUR020N02TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RSR010N10TL
仓库库存编号：
RSR010N10TLCT-ND
别名：RSR010N10TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
MTM861270LBF
仓库库存编号：
MTM861270LBFCT-ND
别名：MTM861270LBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
FL6L52070L
仓库库存编号：
FL6L52070L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
FL6L52030L
仓库库存编号：
FL6L52030L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 2A MINI6-F1
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
FL6L52060L
仓库库存编号：
FL6L52060L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
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详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
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FM6L52020L-ND
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