产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (56)
Fairchild/ON Semiconductor (8)
ON Semiconductor (2)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3151PT1G
仓库库存编号：
NTJS3151PT1GOSCT-ND
别名：NTJS3151PT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61P02FTA
仓库库存编号：
ZXM61P02FCT-ND
别名：ZXM61P02F
ZXM61P02FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN2B01FTA
仓库库存编号：
ZXMN2B01FCT-ND
别名：ZXMN2B01FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN3A01FTA
仓库库存编号：
ZXMN3A01FCT-ND
别名：ZXMN3A01FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61N02FTA
仓库库存编号：
ZXM61N02FCT-ND
别名：ZXM61N02F
ZXM61N02FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61N03FTA
仓库库存编号：
ZXM61N03FCT-ND
别名：ZXM61N03F
ZXM61N03FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY300NZ
仓库库存编号：
FDY300NZCT-ND
别名：FDY300NZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61P03FTA
仓库库存编号：
ZXM61P03FCT-ND
别名：ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP3A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP3A13FCT-ND
别名：ZXMP3A13FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP6A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP6A13FCT-ND
别名：ZXMP6A13FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP6A13FQTA
仓库库存编号：
ZXMP6A13FQTADICT-ND
别名：ZXMP6A13FQTADICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP10A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP10A13FCT-ND
别名：ZXMP10A13FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V SC-89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY302NZ
仓库库存编号：
FDY302NZCT-ND
别名：FDY302NZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 830mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY102PZ
仓库库存编号：
FDY102PZCT-ND
别名：FDY102PZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN2A01FTA
仓库库存编号：
ZXMN2A01FCT-ND
别名：ZXMN2A01FCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
型号：
ZXM62P03E6TA
仓库库存编号：
ZXM62P03E6CT-ND
别名：ZXM62P03E6
ZXM62P03E6CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS270
仓库库存编号：
BS270FS-ND
别名：BS270-ND
BS270FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3306A
仓库库存编号：
ZVP3306A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN10LP
仓库库存编号：
VN10LP-ND
别名：FVN10LP
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3310A
仓库库存编号：
ZVP3310A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3306A
仓库库存编号：
ZVN3306A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3310A
仓库库存编号：
ZVN3310A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SC-70-6
型号：
SI1403BDL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1403BDL-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3320ASTOA
仓库库存编号：
ZVN3320ASTOACT-ND
别名：ZVN3320ASTOACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
