产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF630NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630NPBF
仓库库存编号:
IRF630NPBF-ND
别名:*IRF630NPBF
SP001564792
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名:SP001571826
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18A(Tc) 82W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z34
仓库库存编号:
SFP9Z34-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NL
仓库库存编号:
IRF630NL-ND
别名:*IRF630NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRR
仓库库存编号:
IRF630NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46Z
仓库库存编号:
IRFZ46Z-ND
别名:*IRFZ46Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZS
仓库库存编号:
IRFZ46ZS-ND
别名:*IRFZ46ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZL
仓库库存编号:
IRFZ46ZL-ND
别名:*IRFZ46ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46ZPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZPBF-ND
别名:*IRFZ46ZPBF
SP001571882
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSPBF-ND
别名:*IRFZ46ZSPBF
SP001550294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NLPBF
仓库库存编号:
IRF630NLPBF-ND
别名:*IRF630NLPBF
SP001559690
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZLPBF-ND
别名:*IRFZ46ZLPBF
SP001576304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 82W(Tc),
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