产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22.4A(Tc) 34.7W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R150CFDXKSA1-ND
别名:SP000907026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA84DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA84DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34.7W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名:RJK60S7DPPE0T2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA96DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA96DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA96DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.2A(Tc) 34.7W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名:SP001163084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31.2A(Tc) 34.7W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R110CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R110CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R110CFD
IPA65R110CFD-ND
SP000895230
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 34.5A(Tc) 34.7W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7246_101
仓库库存编号:
AON7246_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 34.7W(Tc),
无铅
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