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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4
  仓库库存编号：296-38912-2-ND
  别名：296-38912-2
  CSD13381F4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J338R,LF
  仓库库存编号：SSM3J338RLFTR-ND
  别名：SSM3J338R,LF(B
  SSM3J338R,LF(T
  SSM3J338RLFTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J338R,LF
  仓库库存编号：SSM3J338RLFCT-ND
  别名：SSM3J338RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J338R,LF
  仓库库存编号：SSM3J338RLFDKR-ND
  别名：SSM3J338RLFDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3151PT1G
  仓库库存编号：NTJS3151PT1GOSCT-ND
  别名：NTJS3151PT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-13
  仓库库存编号：DMN1019USN-13DICT-ND
  别名：DMN1019USN-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2315BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2315BDS-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.6W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1401EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1401EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2333CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2333CDS-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 690mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN1019UFDE-7
  仓库库存编号：DMN1019UFDE-7DICT-ND
  别名：DMN1019UFDE-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2333DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2333DS-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4866BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4866BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4866BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6423DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6423DQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.41A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN1150UFB-7B
  仓库库存编号：DMN1150UFB-7BDICT-ND
  别名：DMN1150UFB-7BDICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1442DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1442DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1442DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401PBFCT-ND
  别名：*IRLML6401TRPBF
  IRLML6401PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.2W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD13201W10
  仓库库存编号：296-41412-1-ND
  别名：296-41412-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4T
  仓库库存编号：296-37779-1-ND
  别名：296-37779-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23280F3T
  仓库库存编号：296-44150-1-ND
  别名：296-44150-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J512NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J512NULFCT-ND
  别名：SSM6J512NULFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1422DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1422DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1422DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB441EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB441EDK-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA447DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA447DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 12V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2315ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2315ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3477DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3477DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3477DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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