产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD25NF20
仓库库存编号:
497-13749-1-ND
别名:497-13749-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 33W(Tc) D-Pak
型号:
STD5N20LT4
仓库库存编号:
497-4335-1-ND
别名:497-4335-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630
仓库库存编号:
497-2757-5-ND
别名:497-2757-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 35mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVP1320FTA
仓库库存编号:
ZVP1320FCT-ND
别名:UZVP1320FCT
UZVP1320FCT-ND
ZVP1320FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
STN1NF20
仓库库存编号:
497-12273-1-ND
别名:497-12273-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF20L
仓库库存编号:
497-10779-1-ND
别名:497-10779-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM
仓库库存编号:
FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM
仓库库存编号:
FQD5P20TMCT-ND
别名:FQD5P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P20TM
仓库库存编号:
FQD7P20TMCT-ND
别名:FQD7P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA456DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA456DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7119DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7119DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7119DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4464DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4464DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4464DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7820DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7820DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7820DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Ta) 500mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS107P
仓库库存编号:
BS107P-ND
别名:BS107
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD18N20LZ
仓库库存编号:
FDD18N20LZCT-ND
别名:FDD18N20LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2670
仓库库存编号:
FDS2670CT-ND
别名:FDS2670CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2672
仓库库存编号:
FDS2672CT-ND
别名:FDS2672CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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EPC
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 模具剖面(4 焊条)
型号:
EPC2012C
仓库库存编号:
917-1084-1-ND
别名:917-1084-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 357W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB52N20TM
仓库库存编号:
FDB52N20TMCT-ND
别名:FDB52N20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL640A
仓库库存编号:
IRL640A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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EPC
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 模具
型号:
EPC2019
仓库库存编号:
917-1087-1-ND
别名:917-1087-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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