产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta),44A(Tc) 69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),98A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB038N12N3 G
仓库库存编号:
IPB038N12N3 GCT-ND
别名:IPB038N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB036N12N3 G
仓库库存编号:
IPB036N12N3 GCT-ND
别名:IPB036N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
仓库库存编号:
IPB144N12N3 GCT-ND
别名:IPB144N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF15P12
仓库库存编号:
FQPF15P12-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G
仓库库存编号:
VN1206L-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N12N3 G
仓库库存编号:
IPP048N12N3 G-ND
别名:IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP041N12N3 G
仓库库存编号:
IPP041N12N3 G-ND
别名:IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N12N3 G
仓库库存编号:
IPP147N12N3 G-ND
别名:IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 405W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN6R3-120PS
仓库库存编号:
1727-1060-ND
别名:1727-1060
568-10168-5
568-10168-5-ND
934067189127
PSMN6R3120PS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) Power56
型号:
FDMS86201
仓库库存编号:
FDMS86201CT-ND
别名:FDMS86201CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86202
仓库库存编号:
FDMS86202CT-ND
别名:FDMS86202CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N12S305ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF12
仓库库存编号:
497-6743-5-ND
别名:497-6743-5
STP80NF12-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220
型号:
TK32E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK32E12N1S1X-ND
别名:TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK56A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK56A12N1S4X-ND
别名:TK56A12N1,S4X(S
TK56A12N1,S4X-ND
TK56A12N1S4X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP076N12N3 G
仓库库存编号:
IPP076N12N3 G-ND
别名:IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 405W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN6R3-120ESQ
仓库库存编号:
1727-1508-ND
别名:1727-1508
568-10988-5
568-10988-5-ND
934067856127
PSMN6R3-120ESQ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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IXYS
120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140N12T2
仓库库存编号:
IXTP140N12T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
仓库库存编号:
IXTA110N12T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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