产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 860A(Tc) 2500W(Tc) SP6
型号:
APTM10UM01FAG
仓库库存编号:
APTM10UM01FAG-ND
别名:APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU3
仓库库存编号:
APT10M11JVRU3-ND
别名:APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU2
仓库库存编号:
APT10M11JVRU2-ND
别名:APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 278A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM10DAM05TG
仓库库存编号:
APTM10DAM05TG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 278A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM10SKM05TG
仓库库存编号:
APTM10SKM05TG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10DAM02G
仓库库存编号:
APTM10DAM02G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10SKM02G
仓库库存编号:
APTM10SKM02G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 570A(Tc) 1660W(Tc) SP6
型号:
APTM10UM02FAG
仓库库存编号:
APTM10UM02FAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 625W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10M09B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M09B2VFRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX?
型号:
APT10M11B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M11B2VFRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6756
仓库库存编号:
JAN2N6756-ND
别名:JAN2N6756-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc)
型号:
JAN2N6764
仓库库存编号:
JAN2N6764-ND
别名:JAN2N6764-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N6764T1
仓库库存编号:
JAN2N6764T1-ND
别名:JAN2N6764T1-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 3.5A(Tc) 800mW(Ta),15W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6782
仓库库存编号:
JAN2N6782-ND
别名:JAN2N6782-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.5A(Tc) 800mW(Ta),15W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6782U
仓库库存编号:
JAN2N6782U-ND
别名:JAN2N6782U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6788
仓库库存编号:
JAN2N6788-ND
别名:JAN2N6788-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6788U
仓库库存编号:
JAN2N6788U-ND
别名:JAN2N6788U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6796
仓库库存编号:
JAN2N6796-ND
别名:JAN2N6796-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6796U
仓库库存编号:
JAN2N6796U-ND
别名:JAN2N6796U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6804
仓库库存编号:
JAN2N6804-ND
别名:JAN2N6804-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6849
仓库库存编号:
JAN2N6849-ND
别名:JAN2N6849-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6849U
仓库库存编号:
JAN2N6849U-ND
别名:JAN2N6849U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.69A(Tc) 8.33W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JAN2N6901
仓库库存编号:
JAN2N6901-ND
别名:JAN2N6901-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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