产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 190V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB452DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB452DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB452DK-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 190V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD075N19TL
仓库库存编号:
RCD075N19TLCT-ND
别名:RCD075N19TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 190V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD100N19TL
仓库库存编号:
RCD100N19TLCT-ND
别名:RCD100N19TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 190V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 190V 950mA(Tc) 1.9W(Ta),7W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA850DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA850DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA850DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 190V,
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