以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A TO-220AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP30M65DF2
  仓库库存编号：497-15841-5-ND
  别名：497-15841-5
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30M65DF2
  仓库库存编号：497-15843-1-ND
  别名：497-15843-1
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW30M65DF2
  仓库库存编号：497-16485-5-ND
  别名：497-16485-5
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP6M65DF2
  仓库库存编号：497-16967-ND
  别名：497-16967
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD6M65DF2
  仓库库存编号：497-16966-1-ND
  别名：497-16966-1
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F7ADPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F7ADPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F7ADPK00T0
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 170A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60C3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60C3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH46UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PH46UDPBF-ND
  别名：SP001542050
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40HP65FB
  仓库库存编号：497-16972-ND
  别名：497-16972
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA30M65DF2
  仓库库存编号：497-15842-5-ND
  别名：497-15842-5
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F5DPK00T0
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F6DPK00T0
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 200A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60B3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 108A COPAK247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH46UD-EP
  仓库库存编号：IRG7PH46UD-EP-ND
  别名：SP001540700
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60A3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF6M65DF2
  仓库库存编号：STGF6M65DF2-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB6M65DF2
  仓库库存编号：STGB6M65DF2-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF30M65DF2
  仓库库存编号：STGF30M65DF2-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT30HP65FB
  仓库库存编号：STGWT30HP65FB-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  IGBT 600V 120A 347W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA060A060MN-FD
  仓库库存编号：1560-1226-5-ND
  别名：1560-1226-1
  1560-1226-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F0DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F0DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F0DPK00T0
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60C3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60C3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60B3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60B3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGK72N60A3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 145A 400W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXXR100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXR100N60B3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
• 无铅
• 搜索