产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (11)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (2)
Renesas Electronics America (8)
STMicroelectronics (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UDPBF-ND
别名:*IRG4PH50UDPBF
SP001542126
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 900V 51A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PF50WDPBF
仓库库存编号:
IRG4PF50WDPBF-ND
别名:*IRG4PF50WDPBF
92-0120PBF
92-0120PBF-ND
SP001547862
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
型号:
STGW20H60DF
仓库库存编号:
497-13958-5-ND
别名:497-13958-5
STGW20H60DF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 250W TO247
详细描述:IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW45HF60WDI
仓库库存编号:
497-10402-5-ND
别名:497-10402-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 90A TO247AD
详细描述:IGBT 600V 140A 483W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP6690D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP6690D-EPBF-ND
别名:SP001542324
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50KDPBF-ND
别名:*IRG4PH50KDPBF
SP001536014
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20H60DF
仓库库存编号:
497-13961-5-ND
别名:497-13961-5
STGWT20H60DF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB20H60DF
仓库库存编号:
497-15117-1-ND
别名:497-15117-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40N60SMDF_F085
仓库库存编号:
FGH40N60SMDF_F085-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 310W TO247
详细描述:IGBT 600V 80A 310W Through Hole TO-247-3
型号:
STGWA45HF60WDI
仓库库存编号:
497-10401-5-ND
别名:497-10401-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 22A 156W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS10B60KDTRLP
仓库库存编号:
IRGS10B60KDTRLPCT-ND
别名:IRGS10B60KDTRLPCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 46A 313W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 46A 313W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SKW25N120FKSA1
仓库库存编号:
SKW25N120FKSA1-ND
别名:SKW25N120
SKW25N120-ND
SP000012571
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 230W TO247
详细描述:IGBT 650V 80A 230W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW40N65R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW40N65R5XKSA1-ND
别名:SP001133102
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 10A 600V DPAK
详细描述:IGBT 600V 20A 72W Surface Mount DPAK
型号:
NGTB10N60R2DT4G
仓库库存编号:
NGTB10N60R2DT4GOSCT-ND
别名:NGTB10N60R2DT4GOSCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 37W TO220FP
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 37W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF20H60DF
仓库库存编号:
497-13758-5-ND
别名:497-13758-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F3DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F3DPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F4DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F4DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40N60SMDF
仓库库存编号:
FGH40N60SMDF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F7DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F7DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO220
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-220
型号:
STGP20H60DF
仓库库存编号:
497-13582-5-ND
别名:497-13582-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号:
NGTB75N65FL2WAG
仓库库存编号:
NGTB75N65FL2WAG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
详细描述:IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB10B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGB10B60KDPBF-ND
别名:*IRGB10B60KDPBF
SP001542270
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL10B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGSL10B60KDPBF-ND
别名:SP001545220
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 483W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 140A 483W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP6690DPBF
仓库库存编号:
IRGP6690DPBF-ND
别名:SP001533082
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 90ns,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号