产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
详细描述:IGBT NPT 1200V 105A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRGPS60B120KDP
仓库库存编号:
IRGPS60B120KDP-ND
别名:*IRGPS60B120KDP
SP001540752
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
详细描述:IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRGPS40B120UDP
仓库库存编号:
IRGPS40B120UDP-ND
别名:*IRGPS40B120UDP
SP001536518
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV6DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV6DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD
型号:
IXEH40N120D1
仓库库存编号:
IXEH40N120D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 600V 9.4A 50W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SKB04N60ATMA1
仓库库存编号:
SKB04N60ATMA1TR-ND
别名:SKB04N60
SKB04N60-ND
SP000012425
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 600V 9.4A 50W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SKP04N60XKSA1
仓库库存编号:
SKP04N60XKSA1-ND
别名:SKP04N60
SKP04N60-ND
SP000683138
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 180ns,
无铅
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